INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGW15N120H3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 15 A IGBT Discrete in TO-247 package

E[on]: 1.1mJ

I[C](@ 100°) max: 15.0A

I[C](@ 25°) max: 30.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

Q[Gate]: 75.0nC

V[CE(sat)]: 2.05V

库存数量:

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IKW75N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 75 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 38.5A

E[on]: 2.9mJ

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 225.0A

I[F] max: 80.0A

库存数量:

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IKD10N60R

分类:
数据:

简介: 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-252-3 package

I[rrm]: 20.3A

E[on]: 0.21mJ

I[C](@ 100°) max: 10.0A

I[C](@ 25°) max: 20.0A

I[Cpuls] max: 30.0A

I[F] max: 20.0A

库存数量:

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IKFW40N60DH3E

分类:
数据:

简介: 600 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.36mJ

E[on]: 0.87mJ

I[C](@ 25°) max: 34.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 35.0A

I[Fpuls] max: 90.0A

库存数量:

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IGW60N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V IGBT Discrete in TO-247 package

E[on]: 2.1mJ

I[C](@ 100°) max: 60.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 180.0A

Q[Gate]: 375.0nC

V[CE(sat)]: 1.85V

库存数量:

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IKW30N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 12.0A

E[on]: 0.94mJ

I[C](@ 100°) max: 30.0A

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 30.0A

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IGB50N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 50 A IGBT Discrete in TO263 package

E[on]: 1.2mJ

I[C](@ 100°) max: 90.0A

I[C](@ 25°) max: 64.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

Q[Gate]: 310.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

库存数量:

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IKD15N60R

分类:
数据:

I[rrm]: 27.0A

E[on]: 0.37mJ

I[C](@ 100°) max: 15.0A

I[C](@ 25°) max: 30.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 30.0A

库存数量:

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IKQ75N120CH3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 2.8mJ

E[on]: 6.4mJ

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 75.0A

I[Fpuls] max: 300.0A

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IKY75N120CS6

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 PLUS package

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[C](@ 25°) max: 150.0A

I[Fpuls] max: 300.0A

I[rrm]: 76.0A

I[F] max: 150.0A

E[on]: 2.2mJ

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