INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
V[RRM] max: 4500.0V
I[(FSM)] max: 23000.0A
Configuration: IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes
Housing: Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic
V[RRM] [V]: 4500.0
I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 1120/85
| 库存数量: |
V[RRM] max: 6500.0V
I[(FSM)] max: 22000.0A
Configuration: IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes
Housing: Disc dia 120mm height 26mm / Ceramic
V[RRM] [V]: 6500.0
I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 1100/85
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
Housing: 34 mm
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 170/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 4300.0
Product Line: Power Block
R[thJC] [K/W](@180° el sin): 0.2
| 库存数量: |
V[RRM] max: 4500.0V
I[(FSM)] max: 18000.0A
Configuration: GTO - Freewheeling Diodes
Housing: Disc dia 76mm height 14mm / Ceramic
V[RRM] [V]: 4500.0
I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 1310/85
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 3600.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 435/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 720.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.84
| 库存数量: |
V[RRM] max: 6500.0V
I[(FSM)] max: 16000.0A
Configuration: IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes
Housing: Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic
V[RRM] [V]: 6500.0
I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 940/85
| 库存数量: |
Configuration: Single SCR Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2600.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 400/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 11000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 605.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 1.0
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2600.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 540/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 14000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 980.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.78
| 库存数量: |
Configuration: SCR / Diode Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 3600.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 240/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 5500.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 151.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 1.17
| 库存数量: |
Configuration: SCR / Diode Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2600.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 400/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 11000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 605.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 1.0
| 库存数量: |