INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IQDH29NE2LM5CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 mm 2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
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ISC058N04NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 low-voltage MOSFETs 40V normal level offered in SuperSO8 package
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IRFH6200
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 20V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
| 库存数量: |
BSC004NE2LS5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 25V
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ISG0613N04NM6H
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 dual N-channel 40 V MOSFETs in a scalable power block package
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IRF7862
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
| 库存数量: |
ISG0613N04NM6HSC
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 dual N-channel 40 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability
| 库存数量: |
ISC015N04NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 low-voltage MOSFETs 40V normal level offered in SuperSO8 package
| 库存数量: |
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