INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IQDH45N04LM6CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with very low RDS(on)
| 库存数量: |
IQFH36N04NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with benchmark RDS(on) in the industry
| 库存数量: |
IQD005N04NM6CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with very low RDS(on)
| 库存数量: |
IQFH47N04NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)
| 库存数量: |
IQFH55N04NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)
| 库存数量: |
IQE004NE1LM7
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down
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IRF8788
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRF8736
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
| 库存数量: |
IQE013N04LM6CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with industry leading RDS(on)
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IQFH39N04NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)
| 库存数量: |