INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IQE008N03LM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance
| 库存数量: |
BSZ021N04LS6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs combining best-in-class RDS(on) with superior switching performance
| 库存数量: |
IQE004NE1LM7SC
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down with dual-side cooling
| 库存数量: |
IQE008N03LM5CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance.
| 库存数量: |
IQE013N04LM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on)
| 库存数量: |
BSZ018N04LS6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs combining best-in-class RDS(on) with superior switching performance
| 库存数量: |
IQDH35N03LM5CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
| 库存数量: |
IQE006NE2LM5CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 25V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate package with industry leading RDS(on)
| 库存数量: |
IQE013N04LM6CGSC
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance
| 库存数量: |
IQE004NE1LM7CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate
| 库存数量: |