INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
BSC0906NS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package
I[Dpuls] max: 252.0A
R[th]: 4.2K/W
P[tot] max: 30.0W
Q[G](typ @4.5V): 6.7nC
V[DS] max: 30.0V
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 288.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 30.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 5.2nC
| 库存数量: |
BSC011N03LS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package
I[Dpuls] max: 920.0A
R[th]: 1.3K/W
P[tot] max: 96.0W
V[DS] max: 30.0V
Q[G](typ @10V): 72.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
BSC0902NS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package
I[Dpuls] max: 400.0A
R[th]: 2.6K/W
P[tot] max: 48.0W
V[DS] max: 30.0V
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
ISC012N04NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V normal level in a SSO8 package
I[D ] max: 232.0A
I[D ](@25°C) max: 232.0A
I[Dpuls] max: 928.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 125.0W
Package: SuperSO8 5x6
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 400.0A
R[th]: 1.3K/W
P[tot] max: 96.0W
V[DS] max: 30.0V
Q[G](typ @10V): 68.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
ISC019N04NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 low-voltage MOSFETs 40V normal level offered in SuperSO8 package
I[D ](@25°C) max: 170.0A
I[Dpuls] max: 680.0A
P[tot] max: 100.0W
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 42.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.9mΩ
| 库存数量: |
BSC0901NS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 30V power MOSFETs for efficient power management
I[Dpuls] max: 596.0A
R[th]: 1.8K/W
P[tot] max: 69.0W
V[DS] max: 30.0V
Q[G](typ @4.5V): 22.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
IRFH7440
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
Q[gd]: 29.0nC
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: 40.0V
Mounting: SMD
| 库存数量: |
V[DS] max: 40.0V
I[Dpuls] max: 476.0A
Q[G](typ @4.5V): 16.0nC
R[th]: 2.0K/W
R[thJC] max: 2.0K/W
R[thJA] max: 50.0K/W
| 库存数量: |