INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
ISC012N04LM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOSTM 6 power MOSFET 40 V Logic Level in a SuperSO8 package
I[D ](@25°C) max: 238.0A
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 51.0nC
Q[G](typ @4.5V): 25.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.2mΩ
| 库存数量: |
R[th]: 1.8K/W
P[tot] max: 69.0W
V[DS] max: 30.0V
Q[G](typ @4.5V): 20.0nC
R[thJC] max: 1.8K/W
I[Dpuls] max: 488.0A
| 库存数量: |
BSC005N03LS5I
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 30V
I[D ](@25°C) max: 433.0A
I[Dpuls] max: 1731.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 188.0W
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 792.0A
R[th]: 1.3K/W
P[tot] max: 96.0W
V[DS] max: 40.0V
Q[G](typ @10V): 61.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 612.0A
R[th]: 1.8K/W
P[tot] max: 69.0W
V[DS] max: 25.0V
Q[G](typ @10V): 39.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
V[DS] max: 40.0V
P[tot] max: 52.0W
I[Dpuls] max: 392.0A
Q[G](typ @10V): 25.0nC
R[th]: 2.4K/W
R[thJC] max: 2.4K/W
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 892.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 74.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 43.0nC
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 520.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 50.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 11.4nC
| 库存数量: |
ISC010N04NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V normal level with latest Infineon technology in a SuperSO8 package
I[D ](@25°C) max: 285.0A
I[D ] max: 285.0A
I[Dpuls] max: 1140.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 150.0W
Package: SuperSO8 5x6
| 库存数量: |
ISC017N04NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 low-voltage MOSFETs 40V normal level offered in SuperSO8 package
I[D ](@25°C) max: 193.0A
I[Dpuls] max: 772.0A
P[tot] max: 115.0W
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 51.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ
| 库存数量: |