INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IRFP4368

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

V[GS] max:  20.0V
Q[gd]:  105.0nC
Mounting:  THT
Polarity:  N
P[tot] max:  520.0W
T[j] max:  175.0°C
库存数量:
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IRFB3207Z

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Package:  TO-220
Polarity:  N
Q[gd]:  33.0nC
R[thJC] max:  0.5K/W
T[j] max:  175.0°C
V[DS] max:  75.0V
库存数量:
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IPTG007N06NM5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max:  454.0A
I[Dpuls] max:  1816.0A
Mounting:  SMT
P[tot] max:  375.0W
Package:  TOLG (HSOG-8)
Pin Count:  8.0Pins
库存数量:
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IPB029N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in D²PAK 3-pin package

I[D ](@25°C) max:  165.0A
I[Dpuls] max:  660.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  105.0nC
库存数量:
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IPTG011N08NM5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max:  408.0A
I[Dpuls] max:  1632.0A
Mounting:  SMT
P[tot] max:  375.0W
Package:  TOLG (HSOG-8)
Pin Count:  8.0Pins
库存数量:
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ISZ173N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in S308 package

I[D ](@25°C) max:  48.0A
I[Dpuls] max:  192.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  14.8nC
库存数量:
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ISC079N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max:  95.0A
I[Dpuls] max:  380.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  31.0nC
库存数量:
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IPF026N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max:  239.0A
I[Dpuls] max:  956.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  105.0nC
库存数量:
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ISC044N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max:  156.0A
I[Dpuls] max:  624.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  55.0nC
库存数量:
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ISC055N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max:  130.0A
I[Dpuls] max:  520.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  43.0nC
库存数量:
询 价