INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IPP029N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max:  197.0A
I[Dpuls] max:  788.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Package:  TO-220
Polarity:  N
库存数量:
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IPT026N12NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max:  224.0A
Operating Temperature max:  175.0°C
Package:  TOLL (HSOF-8)
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  70.0nC
R[DS (on)](@10V) max:  2.6mΩ
库存数量:
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IPTG025N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max:  264.0A
I[Dpuls] max:  1056.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  105.0nC
库存数量:
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IPT025N15NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

I[D ](@25°C) max:  263.0A
I[Dpuls] max:  1052.0A
V[DS] max:  150.0V
V[GS(th)]:  3.5V
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  105.0nC
库存数量:
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IRFS4229

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package

Mounting:  SMD
Package:  D2PAK (TO-263)
P[tot] max:  330.0W
Q[gd]:  26.0nC
T[j] max:  175.0°C
V[GS] max:  30.0V
库存数量:
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IRFP3006

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package:  TO-247
Polarity:  N
P[tot] max:  375.0W
Q[gd]:  60.0nC
R[thJC] max:  0.4K/W
T[j] max:  175.0°C
库存数量:
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IPB339N20NM6

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package

I[D ](@25°C) max:  39.0A
Operating Temperature max:  175.0°C
Package:  D2PAK (TO-263)
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  15.9nC
R[DS (on)](@10V) max:  33.9mΩ
库存数量:
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IPTG025N08NM5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max:  184.0A
Package:  TOLG (HSOG-8)
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  70.0nC
R[DS (on)](@10V) max:  2.5mΩ
V[DS] max:  80.0V
库存数量:
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IRFP3077

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package:  TO-247
Polarity:  N
P[tot] max:  340.0W
Q[gd]:  42.0nC
R[thJC] max:  0.44K/W
T[j] max:  175.0°C
库存数量:
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IPB027N10N5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications

I[Dpuls] max:  480.0A
Mounting:  SMD
P[tot] max:  250.0W
Package:  D2PAK (TO-263)
Pin Count:  3.0Pins
Polarity:  N
库存数量:
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