ONSEMI

FDMS8D8N15C

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 150 V 12.2A(Ta),85A(Tc) 2.7W(Ta),132W(Tc) 8-PQFN(5x6)

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.2A(Ta),85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.8 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC @ 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF @ 75 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 2.7W(Ta),132W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-PQFN(5x6) 封装/外壳: 8-PowerTDFN

UF4C120070K3S

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 1200 V 27.5A(Tc) 217W(Tc) TO-247-3

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET) 漏源电压(Vdss): 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.5A(Tc) 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 91 毫欧 @ 20A,12V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 37.8 nC @ 15 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1370 pF @ 800 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 217W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3

UJ3C120080K3S

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 1200 V 33A(Tc) 254.2W(Tc) TO-247-3

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET) 漏源电压(Vdss): 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 20A,12V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC @ 15 V Vgs(最大值): ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 254.2W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3

NCV7520MWTXG

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
数据:

简介: 低端 栅极驱动器 IC 非反相 32-QFN(5x5)

DigiKey 可编程: 未验证 驱动配置: 低端 通道类型: 独立式 驱动器数: 6 栅极类型: MOSFET(N 沟道) 电压 - 供电: 4.75V ~ 5.25V 逻辑电压 - VIL,VIH: 0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出): - 输入类型: 非反相 上升/下降时间(典型值): 277ns(最大),277ns(最大) 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-VFQFN 祼焊盘 供应商器件封装: 32-QFN(5x5)

1N4148TR_S00Z

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 200mA 通孔 DO-35

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-35 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

NJD2873T4G

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 50V 12.5W NPN

NJVNJD2873T4G-VF01

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V

NJVNJD2873T4G

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V

SS8050CBU

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/40V/1.5A

SS8050CTA

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/25V/1.5A/120-200