ONSEMI
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: 150°C（最大）
NXH50C120L2C2ES1G
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 三相反相器，带制动器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器，带制动器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 50 A
功率 - 最大值: 20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.4V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）: 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 11.89 nF @ 20 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
供应商器件封装: 26-DIP
1SMB5921BT3G
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 6.8 V 3 W ±5% 表面贴装型 SMB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6.8 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 2.5 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 5.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: SMB
MBR6045WT
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
