ONSEMI
NVMFD5C650NLT1G
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 60V 21A（Ta），111A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Ta），111A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 98µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2546pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
NTND31225CZTAG
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 20V 220mA（Ta），127mA（Ta） 125mW（Ta） 表面贴装型 6-XLLGA（0.9x0.65）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA（Ta），127mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V，5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12.3pF @ 15V，12.8pF @ 15V
功率 - 最大值: 125mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFLGA
供应商器件封装: 6-XLLGA（0.9x0.65）
NCP451FCT2G
制造商: ONSEMI分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
数据:
简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3A 6-WLCSP（1.4x0.9）
开关类型: 电源开关
输出数: 1
比率 - 输入:输出: 1：1
输出配置: 高端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 0.75V ~ 5.5V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出（最大值）: 3A
导通电阻（典型值）: 12 毫欧
输入类型: 非反相
特性: 负载释放，压摆率受控型
故障保护: -
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WLCSP（1.4x0.9）
封装/外壳: 6-UFBGA，WLCSP
FDS2734
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 250 V 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 117 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2610 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
FDD86110
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 12.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），127W（Tc） TO-252AA
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.5A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.2 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2265 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），127W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTND31015NZTAG
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 20V 200mA 125mW 表面贴装型 6-XLLGA（0.9x0.65）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12.3pF @ 15V
功率 - 最大值: 125mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFLGA
供应商器件封装: 6-XLLGA（0.9x0.65）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 高压侧，低压侧
通道类型: 单路
驱动器数: 2
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.7V，2.65V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 2A，2.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 35 V
上升/下降时间（典型值）: 12ns，6ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 31-PowerWFQFN
供应商器件封装: 31-PQFN（5x5）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 高压侧，低压侧
通道类型: 单路
驱动器数: 2
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.7V，2.65V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 2A，2.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 35 V
上升/下降时间（典型值）: 12ns，6ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 31-PowerWFQFN
供应商器件封装: 31-PQFN（5x5）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 高压侧，低压侧
通道类型: 同步
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 12V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH: 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 2A，3A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 1200 V
上升/下降时间（典型值）: 25ns，15ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC