ONSEMI
逻辑类型: D 型透明锁存器
电路: 8：8
输出类型: 三态
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
独立电路: 1
延迟时间 - 传播: 17ns
电流 - 输出高、低: 7.2mA，7.2mA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装: 20-TSSOP
BDW93CFTU
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 12 A 80 W 通孔 TO-220-3
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 12 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 750 @ 5A，3V
功率 - 最大值: 80 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
BDW93CTU
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 12 A 80 W 通孔 TO-220-3
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 12 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 750 @ 5A，3V
功率 - 最大值: 80 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
FGH75T65SQD-F155
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
数据:
简介: IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 375 W 通孔 TO-247-3
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 760µJ（导通），180µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 128 nC
反向恢复时间 (trr): 43 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
