ONSEMI

MM3Z15VC

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 稳压二极管 Diode Zener 15.0V 200mW 5%

MM3Z15VST1G

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 稳压二极管 ZEN SOD323 REG 0.2W 15V

SZMM3Z15VT1G

制造商: ONSEMI
分类:

简介: 稳压二极管 ZEN REG 300mW 15V

NCS2333DMR2G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:

简介: 零漂移放大器 2 电路满摆幅 8-MSOP

放大器类型: 零漂移电路数: 2 输出类型: 满摆幅压摆率: 0.15V/µs 增益带宽积: 270 kHz 电流 - 输入偏置: 60 pA 电压 - 输入补偿: 6 µV 电流 - 供电: 21µA（x2 通道）电流 - 输出/通道: 11 mA 电压 - 跨度（最小值）: 1.8 V 电压 - 跨度（最大值）: 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装: 8-MSOP

NCV2333DMR2G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:

简介: 零漂移放大器 2 电路满摆幅 8-MSOP

放大器类型: 零漂移电路数: 2 输出类型: 满摆幅压摆率: 0.15V/µs 增益带宽积: 270 kHz -3db 带宽: 60 kHz 电流 - 输入偏置: 60 pA 电压 - 输入补偿: 6 µV 电流 - 供电: 28µA（x2 通道）电流 - 输出/通道: 11 mA 电压 - 跨度（最小值）: 1.8 V 电压 - 跨度（最大值）: 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装: 8-MSOP

MM5Z12VT1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5.4% 表面贴装型 SOD-523

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5.4% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

MM3Z24VB

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 24 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 65 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 16.8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

NCV20061SQ3T2G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:

简介: 标准（通用）放大器 1 电路满摆幅 SC-88A（SC-70-5/SOT-353）

放大器类型: 标准（通用）电路数: 1 输出类型: 满摆幅压摆率: 1.2V/µs 增益带宽积: 3 MHz 电流 - 输入偏置: 1 pA 电压 - 输入补偿: 500 µV 电流 - 供电: 140µA 电流 - 输出/通道: 19 mA 电压 - 跨度（最小值）: 1.8 V 电压 - 跨度（最大值）: 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 等级: 汽车级资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装: SC-88A（SC-70-5/SOT-353）

1N4003GP

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

MC34071DR2G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:

简介: 标准（通用）放大器 1 电路单端 8-SOIC

放大器类型: 标准（通用）电路数: 1 输出类型: 单端压摆率: 13V/µs 增益带宽积: 4.5 MHz 电流 - 输入偏置: 100 nA 电压 - 输入补偿: 1 mV 电流 - 供电: 1.9mA 电流 - 输出/通道: 30 mA 电压 - 跨度（最小值）: 3 V 电压 - 跨度（最大值）: 44 V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装: 8-SOIC