INFINEON TECHNOLOGIES
S25HL01GTDPMHA010
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
简介: FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 16-SOIC
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 1Gb
存储器组织: 128M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率: 133 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
BSS308PEH6327XTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2EDL8023G3CXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
简介: 高压侧，低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 PG-VDSON-8-4
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 高压侧，低压侧
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 8V ~ 17V
逻辑电压 - VIL，VIH: -
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 3A，5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 120 V
上升/下降时间（典型值）: 45ns，45ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-VDFN 祼焊盘
供应商器件封装: PG-VDSON-8-4
AUIRFR3806TRL
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 43A（Tc） 71W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 71W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPB60R280P7ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 600 V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 280 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 761 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 53W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TLE8250GVIOXUMA5
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 接收器/发送器/收发器
简介: 半 收发器 1/1 CANbus PG-DSO-8-16
类型: 收发器
协议: CANbus
驱动器/接收器数: 1/1
双工: 半
接收器滞后: 200 mV
数据速率: 1MBd
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-DSO-8-16