INFINEON TECHNOLOGIES
IPT009N08NM6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 43A（Ta），425A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HSOF-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A（Ta），425A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.95 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 278µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13000 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
技术: 霍尔效应
输出类型: 开路漏极
感应范围: -
电压 - 供电: 2.8V ~ 3.5V
电流 - 供电（最大值）: 5mA
电流 - 输出（最大值）: -
工作温度: -40°C ~ 105°C（TJ）
特性: 温度补偿
供应商器件封装: PG-TSOP6-6-8
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
S25FL128LAGNFV010
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:
简介: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 8-WSON（5x6）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 128Mb
存储器组织: 16M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率: 133 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 8-WSON（5x6）
