INFINEON TECHNOLOGIES
IRLML5203TRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3™/SOT-23
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 98 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 510 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.25W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro3™/SOT-23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSC084P03NS3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-5
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.9A（Ta），78.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.1V @ 105µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4785 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-5
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC060P03NS3EGATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 17.7A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8-1
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.7A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6020 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-1
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC080P03LSGAUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 16A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 122.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6140 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），89W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-3
封装/外壳: 8-PowerVDFN
BSC030P03NS3GAUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 25.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8-1
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.4A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.1V @ 345µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14000 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-1
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSZ060NE2LSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 25 V 12A（Ta），44A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 890 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），26W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC340N08NS3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 7A（Ta），23A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8-5
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Ta），23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 34 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 756 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），32W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-5
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC123N08NS3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.3 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1870 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），66W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-1
封装/外壳: 8-PowerTDFN