INFINEON TECHNOLOGIES
BTS70202EPAXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 5A PG-TSDSO-14-22
开关类型: 电源开关
输出数: 2
比率 - 输入:输出: 1：1
输出配置: 高端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 6V ~ 18V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出（最大值）: 5A
导通电阻（典型值）: 12.7 毫欧
输入类型: 非反相
特性: 压摆率受控型
故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温，过压，UVLO
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSO-14-22
封装/外壳: 14-TSSOP（0.154，3.90mm 宽）裸焊盘
IMBG120R053M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 41A（Tc） 205W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52.6 毫欧 @ 13.2A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1010 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 205W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R040M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 52A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39.6 毫欧 @ 17.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 39 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1310 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R026M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 75A（Tc） 335W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25.4 毫欧 @ 27.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1990 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 335W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R007M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 238A（Tc） 789W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 238A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.5 毫欧 @ 146.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 2.97mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 179 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6359 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 789W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
BSZ065N03LSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 670 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），26W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BTS70061EPPXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
数据:
简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 12.5A PG-TSDSO-14-22
开关类型: 电源开关
输出数: 1
比率 - 输入:输出: 1：1
输出配置: 高端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 6V ~ 18V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出（最大值）: 12.5A
导通电阻（典型值）: 6.6 毫欧
输入类型: 非反相
特性: -
故障保护: 过流，过压，短路，UVLO
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSO-14-22
封装/外壳: 14-TSSOP（0.154，3.90mm 宽）裸焊盘
IRFH6200TRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.95 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 230 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10890 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.6W（Ta），156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 半桥
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 12V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH: 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 2A，2.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 1200 V
上升/下降时间（典型值）: 25ns，17ns
工作温度: 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 半桥
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 12V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH: 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 2A，2.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 1200 V
上升/下降时间（典型值）: 25ns，17ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC