BOM上传  搜 索
热门： SMBJ180A AUSMBJ180A-HF P6SMBJ180AJ ASMBJ180A-HF TLE4269G
在线客服

INFINEON TECHNOLOGIES

IMBG65R020M2HXTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 91A（Tc） 326W（Tc） PG-TO263-7-12

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 91A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 46.9A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 9.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2038 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 326W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO263-7-12 封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

IMBG65R015M2HXTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 115A（Tc） 416W（Tc） PG-TO263-7-12

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 64.2A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 79 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2792 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 416W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO263-7-12 封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

IMDQ75R016M2HXTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 840 V 103A（Tc） 394W（Tc） PG-HDSOP-22

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 840 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 103A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 55.8A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 12.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 74 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2577 pF @ 500 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 394W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HDSOP-22 封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块

IMBG65R010M2HXTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 158A（Tc） 535W（Tc） PG-TO263-7-12

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 158A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.1 毫欧 @ 92.1A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 18.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 112 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4001 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 535W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO263-7-12 封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

TC377TX96F300SABKXUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)

简介: TriCore™ AURIX™ 微控制器 IC 32 位三核 300MHz 6MB（6M x 8） 闪存 PG-LFBGA-292-6

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: TriCore™ 内核规格: 32 位三核 速度: 300MHz 连接能力: ASC，CANbus，以太网，FlexRay，HSSL，I2C，LINbus，MSC，PSI，QSPI，SENT 外设: DMA，I2S，PWM，WDT 程序存储容量: 6MB（6M x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: 256K x 8 RAM 大小: 1.1M x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V 数据转换器: - 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-LFBGA-292-6 封装/外壳: 292-LFBGA

BSC004NE2LS5ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 25 V 40A（Ta），479A（Tc） 2.5W（Ta），188W（Tc） PG-TDSON-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta），479A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.45 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 238 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 11000 pF @ 12.5 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），188W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TDSON-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

TC377TX96F300SABLXUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)

简介: TriCore™ AURIX™ 微控制器 IC 32 位 6 核 300MHz 6MB（6M x 8） 闪存 PG-LFBGA-292-13

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: TriCore™ 内核规格: 32 位 6 核 速度: 300MHz 连接能力: ASC，CANbus，以太网，FlexRay，HSSL，I2C，LINbus，MSC，PSI，QSPI，SENT 外设: DMA，I2S，POR，PWM，WDT 程序存储容量: 6MB（6M x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: 256K x 8 RAM 大小: 992K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V 数据转换器: - 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 150°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-LFBGA-292-13 封装/外壳: 292-LFBGA

BFR93AE6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: RF 晶体管 NPN 12V 90mA 6GHz 300mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V 频率 - 跃迁: 6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 9.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值: 300mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 90mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BFR35APE6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: RF 晶体管 NPN 15V 45mA 5GHz 280mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 15V 频率 - 跃迁: 5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值: 280mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 15mA，8V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 45mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

TLE4922XANFHALA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 霍尔效应 传感器 单路 轴 PG-SSO-4-1

技术: 霍尔效应 轴: 单路 输出类型: 开路漏极 感应范围: ±400mT 电压 - 供电: 4.5V ~ 18V 电流 - 供电（最大值）: 7mA 电流 - 输出（最大值）: 8mA 分辨率: - 带宽: 8kHz 工作温度: -40°C ~ 155°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 特性: - 供应商器件封装: PG-SSO-4-1 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，SSO-4-1