INFINEON TECHNOLOGIES
BTS436L2GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 8.8A PG-TO263-5-2
开关类型: 电源开关
输出数: 1
比率 - 输入:输出: 1：1
输出配置: 高端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 4.75V ~ 41V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出（最大值）: 8.8A
导通电阻（典型值）: 35 毫欧
输入类型: -
特性: -
故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-5-2
封装/外壳: TO-263-5，D2PAK（4 引线 + 凸片），TO-263BB
BTS247ZE3043AKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 55 V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5-43
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1730 pF @ 25 V
FET 功能: 温度检测二极管
功率耗散（最大值）: 120W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: P-TO220-5-43
封装/外壳: TO-220-5
IPB020N10N5LFATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 176A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 176A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 840 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 313W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSC014N06NSTATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-TDSON-8 FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.45 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），188W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8 FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC014N06NSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8-17
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.45 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6500 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-17
封装/外壳: 8-PowerTDFN
