INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N06NSSCATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 261A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-WSON-8-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），188W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-WSON-8-2
封装/外壳: 8-PowerWDFN
BSC014N06NSSCATMA2
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 261A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-WSON-8-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），188W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-WSON-8-2
封装/外壳: 8-PowerWDFN
