INFINEON TECHNOLOGIES
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
频率 - 跃迁: 6GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 10.5dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值: 300mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 90mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: PG-SOT323
IRFR024NTRLPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 17A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 370 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSZ018NE2LSIATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 25 V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2500 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AIMBG120R160M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A（Tc） 106W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 5A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 350 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 106W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA