INFINEON TECHNOLOGIES
IMBG120R017M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 107A（Tc） 470W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.1 毫欧 @ 40.4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 12.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2910 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 470W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R012M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 144A（Tc） 600W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 144A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.2 毫欧 @ 56.7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 17.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4050 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 600W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
AIMBG120R010M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 205A（Tc） 882W（Tc） PG-TO263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 205A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.3 毫欧 @ 93A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 30mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 178 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5703 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 882W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPB057N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.7 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
CYT4BFCCHDQ0BZEGS
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
简介: ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M4F Traveo™ T2G 微控制器 IC 32 位四核 100MHz，350MHz 8.1875MB（8.1875M x 8） 闪存 320-BGA（17x17）
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M4F
内核规格: 32 位四核
速度: 100MHz，350MHz
连接能力: CANbus，EBI/EMI，I2C，LINbus，SPI，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
I/O 数: 240
程序存储容量: 8.1875MB（8.1875M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: 256 x 8
RAM 大小: 1M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 114x12b SAR
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 320-BGA（17x17）
封装/外壳: 320-LFBGA
CY62157EV30LL-45ZXIT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器
CY62157EV30LL-45ZXI
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器
