INFINEON TECHNOLOGIES
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 15V
频率 - 跃迁: 5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 3dB @ 1.8GHz
增益: 7dB
功率 - 最大值: 1W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 70mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 120mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PG-SOT89
IKZA40N65EH7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 210 W 通孔 PG-TO247-4-3
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.65V @ 15V，40A
功率 - 最大值: 210 W
开关能量: 370µJ（导通），360µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 81 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 13ns/134ns
测试条件: 400V，40A，12.5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): 49.6 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-4
供应商器件封装: PG-TO247-4-3
CY7C1520KV18-250BZCT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 静态随机存取存储器 72Mb 1.8V 2M x 36 250Mhz DDR II 静态随机存取存储器
CY7C1520KV18-250BZC
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz DDR II 静态随机存取存储器
IRSM836-045MA
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 智能功率模 - IPM 4A 500V Intg Pwr Mod IPM 3.3V 1500Vrms
BC858CWH6327XTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: PG-SOT323
CY7C1041GE30-10ZSXIT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
简介: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 44-TSOP II
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 10ns
访问时间: 10 ns
电压 - 供电: 3V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
供应商器件封装: 44-TSOP II