INFINEON TECHNOLOGIES
S25FL127SABMFI103
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
简介: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 8-SOIC
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 128Mb
存储器组织: 16M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 108 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.209，5.30mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC
ISP742RI
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 电源开关 IC - 配电 SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS .4A
ISP742RIFUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 电源开关 IC - 配电 SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS .4A
ISP742RIXT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 电源开关 IC - 配电 SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS .4A
IRF40H210
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.7V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5406 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN