INFINEON TECHNOLOGIES
CY8C4024PVS-S412
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
简介: ARM® Cortex®-M0+ 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB（16K x 8） 闪存 28-SSOP
核心处理器: ARM® Cortex®-M0+
内核规格: 32-位
速度: 24MHz
连接能力: I2C，IrDA，LINbus，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，电容感应，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数: 24
程序存储容量: 16KB（16K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 2K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 16x10b; D/A 1x7/1x8b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 28-SSOP
封装/外壳: 28-SSOP（0.209，5.30mm 宽）
CY8C4024PVS-S412T
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
简介: ARM® Cortex®-M0+ null 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB（16K x 8） 闪存 28-SSOP
核心处理器: ARM® Cortex®-M0+
内核规格: 32-位
速度: 24MHz
连接能力: I2C，IrDA，LINbus，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，电容感应，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 数: 24
程序存储容量: 16KB（16K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 2K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 16x10b; D/A 1x7/1x8b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 28-SSOP
封装/外壳: 28-SSOP（0.209，5.30mm 宽）
CY8C4147AZA-S445T
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
简介: ARM® Cortex®-M0+ null 微控制器 IC 32-位 48MHz 128KB（128K x 8） 闪存 64-TQFP（10x10）
核心处理器: ARM® Cortex®-M0+
内核规格: 32-位
速度: 48MHz
连接能力: I2C，IrDA，LINbus，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数: 54
程序存储容量: 128KB（128K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 16x10/16x12b SAR; D/A 2x7b
振荡器类型: 外部，内部
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 64-TQFP（10x10）
封装/外壳: 64-LQFP
IPT007N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.75 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 287 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 16000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
IRFR220NTRLPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 200 V 5A（Tc） 43W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 600 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 43W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
结构: 串联 - SCR/二极管
SCR 数，二极管: 1 SCR，1 个二极管
电压 - 断态: 1.8 kV
电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 280 A
电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 520 A
电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2 V
电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 9000A @ 50Hz
电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 150 mA
工作温度: -40°C ~ 130°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块