INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4983CHTE6747HAMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 敏感元器件和传感器(件) / 敏感元件 / 磁敏元件
数据:
简介: 数字开关 可编程 霍尔效应 PG-SSO-3-91
功能: 可编程
技术: 霍尔效应
极化: 北极
感应范围: -
测试条件: -
电压 - 供电: -
电流 - 供电（最大值）: 8mA
电流 - 输出（最大值）: -
输出类型: -
特性: 可编程
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-SSO-3-91
封装/外壳: 3-SSIP 模块
TLE4984CHTE6747HAMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 敏感元器件和传感器(件) / 敏感元件 / 磁敏元件
简介: 数字开关 单极开关 开路集电极 霍尔效应 PG-SSO-3-91
功能: 单极开关
技术: 霍尔效应
极化: 南极
感应范围: 13.9mT 跳闸，5mT 释放
测试条件: 25°C
电压 - 供电: 2.7V ~ 18V
电流 - 供电（最大值）: 6mA
电流 - 输出（最大值）: 20mA
输出类型: 开路集电极
特性: 温度补偿
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-SSO-3-91
封装/外壳: 3-SSIP 模块
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
IDC73D120T6MX1SA2
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 1200 V 150A 表面贴装型 带箔切割晶片
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 150A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.05 V @ 150 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 26 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 带箔切割晶片
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
IPI086N10N3GXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 100 V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.6 毫欧 @ 73A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3980 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IPA086N10N3GXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 100 V 45A（Tc） 37.5W（Tc） PG-TO220-FP
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.6 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3980 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 37.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
FS200R12PT4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 280 A 1000 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 280 A
功率 - 最大值: 1000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
结构: 电桥，3 相 - SCR/二极管
SCR 数，二极管: 3 SCRs，3 个二极管
电压 - 断态: 1.6 kV
电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 210 A
电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 360 A
电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2 V
电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 100 mA
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 3000A @ 50Hz
电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 220 mA
工作温度: -40°C ~ 130°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
FS100R12PT4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 135 A 500 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 135 A
功率 - 最大值: 500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS150R12PT4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 200 A 680 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 A
功率 - 最大值: 680 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 9.35 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块