I[FSM] [A](@10ms, Tvj max): 4800.0
Configuration: Rectifier Diodes / Welding Diodes
Housing: Disc dia 46mm height 4,0 mm
I[(FSM)] max: 52000.0A
T[vj] [°C] max: 180.0
V[RRM] max: 600.0V
V[RRM] [V]: 600.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 11520.0
Clamping force [kn] max: 45.0
I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 7640/100
I[FAVM]/T[c]: 7640/100 (180 ° el sin)
R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 7.23
V[F]/I[F] [V/kA](@Tvj max): 0.98/6
V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.78
r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.034
V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1800.0V
I[TSM]: 8000.0A
I[TAVM]: 644 (180 ° el sin)
Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor
Housing: Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 644/85
I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 320.0
V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 2.15/2.4
V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.8
r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.5
t[q] [µs]: 250.0
R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 39.0
T[vj] [°C] max: 125.0
Clamping force [kn] max: 12.0
V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1400.0V
I[TSM]: 12500.0A
I[TAVM]: 826 (180 ° el sin)
Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor
Housing: Disc dia 58mm height 14mm / Ceramic
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1400.0
I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 844/85
I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12500.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 781.0
V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 1.94/3.0
V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.85
r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.3
t[q] [µs]: 250.0
R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 30.0
T[vj] [°C] max: 125.0
Clamping force [kn] max: 18.0
电压 - 断态: 1 kV
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值): 3 V
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值): 150 mA
电压 - 通态 (Vtm)(最大值): 2.1 V
电流 - 通态 (It (AV))(最大值): 150 A
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值): 235 A
电流 - 断态(最大值): 25 mA
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 4000A @ 60Hz
SCR 类型: 标准恢复型
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: TO-209AB,TO-93-4,接线柱
供应商器件封装: TO-93
BT136S-800E,118
制造商: WEEN SEMICONDUCTORS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管
描述: TRIAC 逻辑 - 灵敏栅极 800 V 4 A 表面贴装型 DPAK
双向可控硅类型: 逻辑 - 灵敏栅极
电压 - 断态: 800 V
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值): 4 A
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值): 1.5 V
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 25A,27A
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值): 10 mA
电流 - 保持 (Ih)(最大值): 15 mA
配置: 单路
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
电压 - 断态: 600 V
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值): 1 V
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值): 200 µA
电压 - 通态 (Vtm)(最大值): 1.8 V
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值): 8 A
电流 - 保持 (Ih)(最大值): 6 mA
电流 - 断态(最大值): 10 µA
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 80A @ 60Hz
SCR 类型: 灵敏栅极
工作温度: -40°C ~ 110°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220AB
电压 - 导通: 350V
电压 - 断态: 275V
电压 - 通态: 4 V
电流 - 峰值脉冲 (8/20µs): 150 A
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 45 A
电流 - 保持 (Ih): 150 mA
元件数: 1
电容: 35pF
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA
电压 - 导通: 40V
电压 - 断态: 25V
电压 - 通态: 4 V
电流 - 峰值脉冲 (8/20µs): 150 A
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 45 A
电流 - 保持 (Ih): 50 mA
元件数: 1
电容: 140pF
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA
电压 - 导通: 25V
电压 - 断态: 6V
电压 - 通态: 4 V
电流 - 峰值脉冲 (8/20µs): 150 A
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 45 A
电流 - 保持 (Ih): 50 mA
元件数: 1
电容: 150pF
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA
电压 - 导通: 25V
电压 - 断态: 6V
电压 - 通态: 4 V
电流 - 峰值脉冲 (8/20µs): 150 A
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 45 A
电流 - 保持 (Ih): 50 mA
元件数: 1
电容: 55pF
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA