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IGLR65R270D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on)(typ): 270.0mΩ Generation: G5 RDS (on): NonemΩ

GS66508T-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 6.1nC RDS (on)(typ): 50.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3

IGI60F2020A1L

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Integrated Power Stage (IPS) half-bridge 600 V to deliver high density, high efficiency solution

QG: 1.5nC Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on)(typ): 200.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGI60F2727A1L

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Integrated Power Stage (IPS) half-bridge 600 V to deliver high density, high efficiency solution

QG: 1.2nC Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on)(typ): 270.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGI60L5050A1M

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

Mounting: SMT QG: 0.58nC VDS: NoneV RDS (on)(typ): 500.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGLD60R190D1S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT QG: 3.2nC VDS: NoneV RDS (on)(typ): 140.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

GS-065-004-1-L-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 0.8nC RDS (on)(typ): 450.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3

IGI60F5050A1L

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Integrated Power Stage (IPS) half-bridge 600 V to deliver high density, high efficiency solution

QG: 0.58nC Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on)(typ): 500.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGLD60R190D1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT Package: LSON-8-1 Polarity: N QG: 3.2nC VDS: NoneV VGS(th): 1.2V RDS (on)(typ): 140.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGLR65R140D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on)(typ): 140.0mΩ Generation: G5 RDS (on): NonemΩ