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IRF7424

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: IR MOSFET -30 V in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Package: SO-8 Ptot(@ TA=25°C): NoneW RthJA: NoneK/W Tj: None°C VDS: NoneV VGS: NoneV Polarity: P Qgd: 12.0nC RDS (on)(@10V): NonemΩ RDS (on)(@4.5V): NonemΩ VGS(th): -1.75V QG(typ @10V): 75.0nC ID (@25°C): NoneA Budgetary Price €/1k: 0.36

IRF7205

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: IR MOSFET -30 V in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: P Q[gd]: 7.5nC R[thJA] max: 50.0K/W T[j] max: 150.0°C V[GS] max: 20.0V P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W V[DS] max: -30.0V Mounting: SMD R[DS (on)](@10V) max: 70.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 130.0mΩ V[GS(th)]: -2.0V Q[G](typ @10V): 27.0nC I[D ](@25°C) max: -4.6A Budgetary Price €/1k: 0.17

SI4435DY

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Tj: None°C VGS: NoneV Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: P Qgd: 8.0nC Mounting: SMD Ptot(@ TA=25°C): NoneW RthJA: NoneK/W VDS: NoneV RDS (on)(@10V): NonemΩ RDS (on)(@4.5V): NonemΩ VGS(th): NoneV QG(typ @10V): 40.0nC ID (@25°C): NoneA Budgetary Price €/1k: 0.25

IRF9310

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: P Q[gd]: 28.0nC T[j] max: 150.0°C V[GS] max: 20.0V Mounting: SMD P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W R[thJA] max: 50.0K/W V[DS] max: -30.0V R[DS (on)](@10V) max: 4.6mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 6.8mΩ V[GS(th)]: -1.8V I[D ](@25°C) max: -20.0A Q[G](typ @4.5V): 58.0nC Budgetary Price €/1k: 0.39

IRF9388

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a SO-8 package

Mounting: SMD P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: P Q[gd]: 8.5nC R[thJA] max: 50.0K/W T[j] max: 150.0°C V[DS] max: -30.0V V[GS] max: 25.0V R[DS (on)](@10V) max: 11.9mΩ V[GS(th)]: -1.8V I[D ](@25°C) max: -12.0A Q[G](typ @4.5V): 18.0nC Budgetary Price €/1k: 0.21

BSC084P03NS3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max: -200.0A R[th]: 1.8K/W P[tot] max: 69.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 3190.0pF C[oss]: 1520.0pF R[DS (on)](@10V) max: 8.4mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: -78.6A Q[G](typ @10V): 43.0nC V[GS(th)]: -2.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.34

IRFH9310

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V Single P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package

VGS: NoneV Moisture Sensitivity Level: 2 Mounting: SMD Polarity: P Ptot(@ TA=25°C): NoneW Qgd: 28.0nC RthJC: NoneK/W Tj: None°C VDS: NoneV RDS (on)(@10V): NonemΩ RDS (on)(@4.5V): NonemΩ VGS(th): -1.9V ID (@25°C): NoneA QG(typ @4.5V): 58.0nC Package: SuperSO8 5x6 Budgetary Price €/1k: 0.49

BSC030P03NS3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max: -200.0A R[th]: 1.0K/W P[tot] max: 125.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 10500.0pF C[oss]: 4690.0pF R[DS (on)](@10V) max: 3.0mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: -100.0A Q[G](typ @10V): 140.0nC V[GS(th)]: -2.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.69

BSC060P03NS3EG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max: -200.0A R[th]: 1.5K/W P[tot] max: 83.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 4530.0pF C[oss]: 2110.0pF R[DS (on)](@10V) max: 6.0mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: -100.0A Q[G](typ @10V): 61.0nC V[GS(th)]: -2.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.35

IRLHS2242

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -20V P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 2x2 package

V[DS] max: -20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.1W Q[gd]: 3.7nC T[j] max: 150.0°C P[tot] max: 9.6W R[thJC] max: 13.0K/W V[GS] max: 12.0V R[DS (on)](@4.5V) max: 31.0mΩ V[GS(th)]: -0.8V Special Features: Super Logic Level I[D ](@25°C) max: -15.0A Q[G](typ @4.5V): 9.6nC Package: PQFN 2 x 2 (DFN2020) Budgetary Price €/1k: 0.09