ISC035N10NM5LF2
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 100 V, 3.55 mΩ, 164 A in a SuperSO8 (5x6) package
I[D ](@25°C) max: 164.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6 FL
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 70.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 3.5mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.1V
Special Features: Wide SOA
Special Features: Fused leads
Budgetary Price €/1k: 1.66
IPP050N10NF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in TO-220 package
I[D ](@25°C) max: 110.0A
I[Dpuls] max: 440.0A
Mounting: THT
P[tot] max: 150.0W
Package: TO-220
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 51.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 0.88
IPP129N10NF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in TO-220 package
I[D ](@25°C) max: 52.0A
I[Dpuls] max: 208.0A
Mounting: THT
P[tot] max: 71.0W
Package: TO-220
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 19.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 12.9mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.47
IRFB4229
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 250V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 330.0W
R[thJC] max: 0.45K/W
V[DS] max: 250.0V
V[GS] max: 30.0V
Polarity: N
Q[gd]: 26.0nC
T[j] max: 175.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 46.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 72.0nC
I[D ](@25°C) max: 46.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.04
IRFB4410Z
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Polarity: N
P[tot] max: 230.0W
Q[gd]: 27.0nC
R[thJC] max: 0.65K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
Mounting: THT
R[DS (on)](@10V) max: 9.0mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 83.0nC
I[D ](@25°C) max: 97.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.54
BSC152N15LS5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V logic level in SuperSO8
I[D ](@25°C) max: 55.0A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 23.0nC
Q[G](typ @4.5V): 12.2nC
R[DS (on)](@10V) max: 15.2mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 20.0mΩ
V[DS] max: 150.0V
V[GS(th)]: 1.8V
Budgetary Price €/1k: 0.61
IRFB5615
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel Digital Audio Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Polarity: N
P[tot] max: 144.0W
Q[gd]: 9.0nC
R[thJC] max: 1.04K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: 150.0V
V[GS] max: 20.0V
Mounting: THT
R[DS (on)](@10V) max: 39.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 26.0nC
I[D ](@25°C) max: 35.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.48
IPP023N10N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
R[th]: 0.4K/W
V[DS] max: 100.0V
I[Dpuls] max: 480.0A
Q[G](typ @10V): 168.0nC
R[thJA] max: 62.0K/W
Pin Count: 3.0Pins
P[tot] max: 375.0W
R[thJC] max: 0.4K/W
Package: TO-220
Mounting: TMT
Polarity: N
C[iss]: 12000.0pF
C[oss]: 1810.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ
I[D ](@25°C) max: 120.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.92
IRFB4110
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Q[gd]: 43.0nC
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Polarity: N
P[tot] max: 370.0W
R[thJC] max: 0.4K/W
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 4.5mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 150.0nC
I[D ](@25°C) max: 180.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.93
I[Dpuls] max: 97.0A
R[th]: 1.3K/W
R[thJC] max: 1.3K/W
R[thJA] max: 75.0K/W
P[tot] max: 96.0W
V[DS] max: 200.0V
Q[G](typ @10V): 15.0nC
Polarity: N
C[iss]: 1190.0pF
C[oss]: 90.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 50.0mΩ
Package: SuperSO8 5x6
I[D ](@25°C) max: 24.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.7