STH13N120K5-2AG
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 12A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IMBG120R026M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 75A（Tc） 335W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25.4 毫欧 @ 27.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1990 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 335W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IXFH12N100F
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1000 V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.05 欧姆 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD（IXFH）
封装/外壳: TO-247-3
IMBG65R007M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 238A（Tc） 789W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 238A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.5 毫欧 @ 146.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 2.97mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 179 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6359 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 789W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IXTX200N10L2
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247™-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 540 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 23000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3 变式
NTND31015NZTAG
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 20V 200mA 125mW 表面贴装型 6-XLLGA（0.9x0.65）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12.3pF @ 15V
功率 - 最大值: 125mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFLGA
供应商器件封装: 6-XLLGA（0.9x0.65）
DMN3016LK3-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 12.4A（Ta） 1.6W（Ta） TO-252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1415 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMN3016LSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1415 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
BSZ065N03LSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 670 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），26W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
CSD13380F3T
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 12 V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR（0.69x0.60）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 76 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 156 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 3-PICOSTAR（0.69x0.60）
封装/外壳: 3-XFLGA