NTMFSC004N08MC
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 86A（Ta），136A（Tc） 51W（Ta），127W（Tc） 8-DFN（5x6.15）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 86A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2980 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 51W（Ta），127W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN（5x6.15）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
IPW60R070P6XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 70 毫欧 @ 20.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.72mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4750 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 391W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
UF3C065080B7S
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 27A（Tc） 136.4W（Tc） D2PAK-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 105 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 12 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 760 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136.4W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
DMTH6009LPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 11.76A（Ta），89.5A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.76A（Ta），89.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1925 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
IPP029N06NXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 60 V 100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO220-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
SQD97N06-6M3L_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 97A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 97A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 125 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6060 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
R6507END3TL1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 665 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 390 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 78W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPI029N06NAKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 60 V 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4100 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
NTMFS0D9N04XLT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 278A（Tc） 136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 278A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.9 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5160 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
IPB026N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 25A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4100 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB