FDMS3D5N08LC
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 19A（Ta），136A（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Ta），136A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.5 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
FET 功能: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
IPB060N15N5ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 150 V 136A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 68A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.6V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5300 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-3
封装/外壳: TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
FDMS86255ET150
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 150 V 10A（Ta），63A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4480 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
C3M0075120K-A
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 32A（Tc） 136W（Tc） TO-247-4L
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 53 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1390 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4
C3M0075120D-A
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 32A（Tc） 136W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 54 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1390 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
AIMBG120R080M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 30.6A（Tc） 168W（Tc） PG-TO263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 671 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 168W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPQC65R017CFD7AXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 136A（Tc） 694W（Tc） PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 61.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 236 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12338 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 694W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
NTMFS4C922NAT3G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta），64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3071 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），64W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
DMTH4007SPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 15.7A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 41.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2082 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMTH3002LPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 1.2W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5000 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN