V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1600.0V I[TSM]: 15500.0A I[TAVM]: 936 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 58mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1600.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 959/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 15500.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 1200.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 1.95/3.6 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.85 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.27 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 28.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 21.0

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1600.0V I[TSM]: 12500.0A I[TAVM]: 718 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1600.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 718/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12500.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 781.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 1.94/3.0 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.85 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.35 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 38.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 18.0

Clamping force [kn] max: 30.0 Configuration: Rectifier Diodes / Welding Diodes Housing: Disc dia 38mm height 4,0 mm I[(FSM)] max: 32300.0A I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 5820/100 I[FAVM]/T[c]: 5820/100 (180° el sin) I[FSM] [A](@10ms, Tvj max): 32300.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 9.6 T[vj] [°C] max: 180.0 V[RRM] max: 600.0V V[RRM] [V]: 600.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 5200.0 V[F]/I[F] [V/kA](@Tvj max): 0,96/4.5 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.74 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.049

I[FSM] [A](@10ms, Tvj max): 4800.0 Configuration: Rectifier Diodes / Welding Diodes Housing: Disc dia 46mm height 4,0 mm I[(FSM)] max: 52000.0A T[vj] [°C] max: 180.0 V[RRM] max: 600.0V V[RRM] [V]: 600.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 11520.0 Clamping force [kn] max: 45.0 I[FAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 7640/100 I[FAVM]/T[c]: 7640/100 (180 ° el sin) R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 7.23 V[F]/I[F] [V/kA](@Tvj max): 0.98/6 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.78 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.034

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1800.0V I[TSM]: 8000.0A I[TAVM]: 644 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 644/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8000.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 320.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 2.15/2.4 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.8 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.5 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 39.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 12.0

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1400.0V I[TSM]: 12500.0A I[TAVM]: 826 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 58mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1400.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 844/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12500.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 781.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 1.94/3.0 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.85 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.3 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 30.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 18.0

电压 - 断态: 1 kV 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）: 2.1 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 150 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 235 A 电流 - 断态（最大值）: 25 mA 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 4000A @ 60Hz SCR 类型: 标准恢复型 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: TO-209AB，TO-93-4，接线柱 供应商器件封装: TO-93

双向可控硅类型: 逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态: 800 V 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 4 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 25A，27A 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 10 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 15 mA 配置: 单路 工作温度: 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 供应商器件封装: DPAK

电压 - 断态: 600 V 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 200 µA 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）: 1.8 V 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 8 A 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 6 mA 电流 - 断态（最大值）: 10 µA 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 80A @ 60Hz SCR 类型: 灵敏栅极 工作温度: -40°C ~ 110°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB

电压 - 导通: 350V 电压 - 断态: 275V 电压 - 通态: 4 V 电流 - 峰值脉冲 (8/20µs): 150 A 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 45 A 电流 - 保持 (Ih): 150 mA 元件数: 1 电容: 35pF 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA