N01S830HAT22I
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 存储器，1 Mb，超低功耗，2.5 至 5.5 V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 1 Mb
Organization (bits): 128k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.5
VCC Max (V): 5.5
Istandby Typ (µA): 4
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $2.7131
N01S830BAT22IT
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 存储器，1 Mb，超低功耗，2.5 至 5.5 V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 1 Mb
Organization (bits): 128k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.5
VCC Max (V): 5.5
Istandby Typ (µA): 4
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $2.7131
N01S830BAT22ET
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 存储器，1 Mb，超低功耗，2.5 至 5.5 V
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 1 Mb
Organization (bits): 128k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.5
VCC Max (V): 5.5
Istandby Typ (µA): 4
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: Price N/A
N01S830BAT22E
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 存储器，1 Mb，超低功耗，2.5 至 5.5 V
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 1 Mb
Organization (bits): 128k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.5
VCC Max (V): 5.5
Istandby Typ (µA): 4
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: Price N/A
N01S830HAT22E
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 存储器，1 Mb，超低功耗，2.5 至 5.5 V
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 1 Mb
Organization (bits): 128k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.5
VCC Max (V): 5.5
Istandby Typ (µA): 4
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: Price N/A
N25S818HAS21I
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 内存，256-kb，1.8 V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 256 kb
Organization (bits): 32k x 8
fcycle Max (MHz): 16
VCC Min (V): 1.7
VCC Max (V): 1.95
Istandby Typ (µA): 0.2
Package Type: SOIC-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $1.1259
N25S818HAT21I
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 内存，256-kb，1.8 V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 256 kb
Organization (bits): 32k x 8
fcycle Max (MHz): 16
VCC Min (V): 1.7
VCC Max (V): 1.95
Istandby Typ (µA): 0.2
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $1.1259
N25S830HAS22I
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 内存，256-kb，3.0 V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 256 kb
Organization (bits): 32k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.7
VCC Max (V): 3.6
Istandby Typ (µA): 1
Package Type: SOIC-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $1.1259
N25S830HAT22I
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 内存，256-kb，3.0 V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 256 kb
Organization (bits): 32k x 8
fcycle Max (MHz): 20
VCC Min (V): 2.7
VCC Max (V): 3.6
Istandby Typ (µA): 1
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $1.1259
N64S818HAT21I
制造商: ONSEMI数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)
描述: 串行 SRAM 内存，64-kb，1.8 V
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Type: Serial
Density: 64 kb
Organization (bits): 8k x 8
fcycle Max (MHz): 16
VCC Min (V): 1.7
VCC Max (V): 1.95
Istandby Typ (µA): 1
Package Type: TSSOP-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: Price N/A