INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

T640N18TOF

分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管
数据:

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1800.0V I[TSM]: 8000.0A I[TAVM]: 644 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 644/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8000.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 320.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 2.15/2.4 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.8 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.5 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 39.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 12.0

T830N14TOF

分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管
数据:

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1400.0V I[TSM]: 12500.0A I[TAVM]: 826 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 58mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1400.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 844/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12500.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 781.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 1.94/3.0 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.85 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.3 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 30.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 18.0

IDW10G120C5B

分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管
数据:

简介: 1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-247-3 package

IF: NoneA QC: 57.0nC I(FSM): NoneA VF: 1.4V IR: 6.0µA Ptot: NoneW RthJC: 0.8K/W Package: TO-247 VDC: NoneV Qualification: Industrial

LASERDIODESPL-PL90A

分类: 半导体分立器件和附件 / 半导体分立器件附件
数据:

Features: Wave length: 905 nm Features: Operating temp.: -40 .. +85°C Features: Storage temp.: -40 .. +100°C Suitable for: Light Triggered Thyristors (LTT) Housing: T76.35L Housing: T150.40L Housing: T172.40L