IRF7105
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 25V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: SO-8
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
Q[gd](typ): 2.8nC
Q[gd](typ): 3.1nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
Polarity: N+P
R[thJA] max: 62.5K/W
V[DS] max: 25.0V
R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 250.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 160.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 400.0mΩ
V[GS(th)] max: -3.0V
V[GS(th)] max: 3.0V
Q[G](typ @10V): 9.4nC
Q[G](typ @10V): 10.0nC
I[D ](@25°C) max: 3.5A
I[D ](@25°C) max: -2.3A
更多
V[DS] max: -25.0V
Budgetary Price €/1k: 0.15
IRF7319
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
R[thJA] max: 62.5K/W
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: 30.0V
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
Q[gd](typ): 6.4nC
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[gd](typ): 5.9nC
R[DS (on)](@10V) max: 29.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 58.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 46.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 98.0mΩ
V[GS(th)] min: -1.0V
V[GS(th)] min: 1.0V
Q[G](typ @10V): 22.0nC
Q[G](typ @10V): 23.0nC
I[D ](@25°C) max: 6.5A
I[D ](@25°C) max: -4.9A
更多
V[DS] max: -30.0V
Budgetary Price €/1k: 0.28
I[Dpuls] max: -13.0A
I[Dpuls] max: 20.0A
Mode: Enhancement
Mounting: SMD
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 2.5W
Pin Count: 8.0Pins
R[thJC] max: 8.0K/W
R[thJA] max: 60.0K/W
V[DS] max: -20.0V
V[DS] max: 20.0V
V[GS(th)] max: -0.7V
V[GS(th)] max: 1.4V
C[iss]: 300.0pF
C[iss]: 315.0pF
C[oss]: 114.0pF
C[oss]: 92.0pF
Package: PQFN 3.3 x 3.3
R[DS (on)](@4.5V) max: 55.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 150.0mΩ
更多
Special Features: LTI (Lead Tip Inspection)
I[D ](@25°C) max: 3.2A
I[D ](@25°C) max: 5.1A
Q[G](typ @4.5V) max: 3.0nC
Polarity: N+P
Budgetary Price €/1k: 0.46
IRF9362
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
R[thJA] max: 62.5K/W
V[DS] max: -30.0V
Package: SO-8
Polarity: P+P
Q[gd](typ): 6.3nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 21.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 32.0mΩ
V[GS(th)]: -1.8V
I[D ](@25°C) max: -8.0A
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Budgetary Price €/1k: 0.25
IRF9952
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Q[gd](typ): 1.1nC
Q[gd](typ): 1.8nC
R[thJA] max: 62.5K/W
V[DS] max: 30.0V
V[GS] max: 20.0V
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N+P
Package: SO-8
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 250.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 150.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 400.0mΩ
V[GS(th)] min: -1.0V
V[GS(th)] min: 1.0V
Q[G](typ @10V): 6.1nC
Q[G](typ @10V): 6.9nC
I[D ](@25°C) max: 3.5A
I[D ](@25°C) max: -2.3A
更多
V[DS] max: -30.0V
Budgetary Price €/1k: 0.17
IRF7343
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[gd](typ): 7.0nC
R[thJA] max: 62.5K/W
V[DS] max: 55.0V
V[GS] max: 20.0V
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
Q[gd](typ): 8.4nC
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 50.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 105.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 65.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 170.0mΩ
V[GS(th)] min: -1.0V
V[GS(th)] min: 1.0V
Q[G](typ @10V): 24.0nC
Q[G](typ @10V): 26.0nC
I[D ](@25°C) max: 4.7A
I[D ](@25°C) max: -3.4A
Budgetary Price €/1k: 0.26
IRF7907
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package
V[DS] max: 30.0V
Package: SO-8
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
Q[gd](typ): 4.9nC
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N+N
P[tot] max: 2.0W
Q[gd](typ): 4.9nC
R[thJA] max: 62.5K/W
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 11.8mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 16.4mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 13.7mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 20.5mΩ
V[GS(th)]: 1.8V
I[D ](@25°C) max: 9.1A
I[D ](@25°C) max: 11.0A
Q[G](typ @4.5V): 6.7nC
Q[G](typ @4.5V): 14.0nC
更多
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.34
I[Dpuls] max: 160.0A
R[th]: 4.2K/W
R[th]: 2.6K/W
P[tot] max: 2.5W
V[DS] max: 30.0V
V[DS] max: 30.0V
Q[G](typ @4.5V): 6.7nC
Q[G](typ @4.5V): 12.0nC
I[D ](@25°C) max: 15.0A
I[D ](@25°C) max: 10.0A
Polarity: N+N
C[iss]: 1500.0pF
C[iss]: 870.0pF
C[oss]: 330.0pF
C[oss]: 630.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 3.7mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 7.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V LL) max: 3.7mΩ
更多
R[DS (on)](@4.5V LL) max: 7.0mΩ
Package: Asymmetrical Dual 5x6
V[GS(th)]: 1.8V
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.39
IRF7103
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 50V Dual N-Channel IR MOSFET™ in a SO-8 package
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N+N
Q[gd](typ): 3.5nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
Package: SO-8
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
R[thJA] max: 62.5K/W
V[DS] max: 50.0V
R[DS (on)](@10V) max: 130.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 200.0mΩ
V[GS(th)]: 2.0V
I[D ](@25°C) max: 3.0A
Q[G](typ @4.5V): 12.0nC
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.16
IRF7313
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Package: SO-8
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W
Q[gd](typ): 6.4nC
R[thJA] max: 62.5K/W
V[DS] max: 30.0V
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N+N
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 29.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 46.0mΩ
V[GS(th)] min: 1.0V
Q[G](typ @10V): 22.0nC
I[D ](@25°C) max: 6.5A
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.23