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IQE004NE1LM7CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate

I[D ](@25°C) max: 379.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 29.0nC R[DS (on)](@4.5V) max: 0.57mΩ V[DS] max: 15.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 0.82 Special Features: Switching optimized

IQDH45N04LM6CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 637.0A I[Dpuls] max: 2548.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 62.0nC Q[G](typ @10V): 129.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.45mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.58mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 1.6V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.45

IQFH36N04NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with benchmark RDS(on) in the industry

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 206.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.36mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V I[D ](@25°C) max: 656.0A Budgetary Price €/1k: 3.05

IQD005N04NM6CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 610.0A I[Dpuls] max: 2440.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 129.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.47mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.43

IQFH47N04NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)

I[Dpuls] max: 2028.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 147.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.47mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V I[D ](@25°C) max: 507.0A Budgetary Price €/1k: 2.19

IQFH55N04NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)

I[Dpuls] max: 1804.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 118.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.55mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V I[D ](@25°C) max: 451.0A Budgetary Price €/1k: 1.9

IQE004NE1LM7

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down

IRF8788

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Mounting: SMD Package: SO-8 P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W R[thJA] max: 50.0K/W V[DS] max: 30.0V V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N Q[gd]: 14.0nC T[j] max: 150.0°C R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 3.8mΩ V[GS(th)]: 1.8V I[D ](@25°C) max: 24.0A Q[G](typ @4.5V): 44.0nC Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.37

IRF8736

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: N Q[gd]: 5.8nC T[j] max: 150.0°C V[GS] max: 20.0V Mounting: SMD P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W R[thJA] max: 50.0K/W V[DS] max: 30.0V R[DS (on)](@10V) max: 4.8mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 6.8mΩ V[GS(th)]: 1.8V I[D ](@25°C) max: 18.0A Q[G](typ @4.5V): 17.0nC Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.23

IQE013N04LM6CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with industry leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 205.0A I[Dpuls] max: 820.0A P[tot] max: 107.0W Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 41.0nC Q[G](typ @4.5V): 20.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 1.9mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 1.6V Operating Temperature max: 175.0°C Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 0.75